SQ2337ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
NOVA Phần #:
312-2285464-SQ2337ES-T1_BE3
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
SQ2337ES-T1_BE3
Gói tiêu chuẩn:
3,000

Định dạng tải xuống có sẵn

P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạoVishay Siliconix
RoHS 1
Bao bìTape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắpSurface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp SOT-23-3 (TO-236)
Số sản phẩm cơ bản SQ2337
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
LoạtAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 2.2A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 290mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 18 nC @ 10 V
Tính năng FET-
Gói / Trường hợpTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Tối đa)±20V
Loại FETP-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)80 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 40 V
Tiêu tán công suất (Tối đa) 3W (Tc)
Vài cái tên khác742-SQ2337ES-T1_BE3DKR
742-SQ2337ES-T1_BE3CT
742-SQ2337ES-T1_BE3TR

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!