SQ2398ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
NOVA Phần #:
312-2280965-SQ2398ES-T1_GE3
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
SQ2398ES-T1_GE3
Gói tiêu chuẩn:
3,000
Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

N-Channel 100 V 1.6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạoVishay Siliconix
RoHS 1
Bao bìTape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắpSurface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp SOT-23-3 (TO-236)
Số sản phẩm cơ bản SQ2398
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
LoạtAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 3.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 3.4 nC @ 10 V
Tính năng FET-
Gói / Trường hợpTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Tối đa)±20V
Loại FETN-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)100 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 152 pF @ 50 V
Tiêu tán công suất (Tối đa) 2W (Tc)
Vài cái tên khácSQ2398ES-T1_GE3DKR
SQ2398ES-T1_GE3TR
SQ2398ES-T1_GE3CT
SQ2398ES-T1_GE3-ND

In stock Cần thêm?

0,39940 US$
Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!