UF3C120040K3S

SICFET N-CH 1200V 65A TO247-3
NOVA Phần #:
312-2273136-UF3C120040K3S
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
UF3C120040K3S
Gói tiêu chuẩn:
30
Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

N-Channel 1200 V 65A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạoUnitedSiC
RoHS 1
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắpThrough Hole
Gói thiết bị của nhà cung cấp TO-247-3
Số sản phẩm cơ bản UF3C120040
Công nghệSiCFET (Cascode SiCJFET)
Loạt-
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 65A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 40A, 12V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 6V @ 10mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 51 nC @ 15 V
Tính năng FET-
Gói / Trường hợpTO-247-3
Vgs (Tối đa)±25V
Loại FETN-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)1200 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 100 V
Tiêu tán công suất (Tối đa) 429W (Tc)
Vài cái tên khác2312-UF3C120040K3S

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!