Altium chim ưng OrCad PADS KiCad 
FQU13N10LTU
MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
NOVA Phần #:
312-2288109-FQU13N10LTU
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
FQU13N10LTU
Gói tiêu chuẩn:
5,040
Bảng dữ liệu kỹ thuật:
Định dạng tải xuống có sẵn
Vui lòng điền đầy đủ thông tin vào form, chúng tôi sẽ liên hệ và đưa ra mẫu cad trong thời gian sớm nhất.
N-Channel 100 V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I-PAK
| Loại | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn | |
| nhà chế tạo | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Kiểu lắp | Through Hole | |
| Gói thiết bị của nhà cung cấp | I-PAK | |
| Số sản phẩm cơ bản | FQU13N10 | |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Loạt | QFET® | |
| Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) | |
| Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu) | 5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5A, 10V | |
| Vgs (th) (Tối đa) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs | 12 nC @ 5 V | |
| Tính năng FET | - | |
| Gói / Trường hợp | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Tối đa) | ±20V | |
| Loại FET | N-Channel | |
| Xả đến điện áp nguồn (Vdss) | 100 V | |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V | |
| Tiêu tán công suất (Tối đa) | 2.5W (Ta), 40W (Tc) |
In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi
Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.
Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!
1N5393-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes Division
FQD13N10LTMonsemi
