Altium chim ưng OrCad PADS KiCad 
FDP3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
NOVA Phần #:
312-2289724-FDP3632
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
FDP3632
Gói tiêu chuẩn:
800
Bảng dữ liệu kỹ thuật:
Định dạng tải xuống có sẵn
Vui lòng điền đầy đủ thông tin vào form, chúng tôi sẽ liên hệ và đưa ra mẫu cad trong thời gian sớm nhất.
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Loại | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn | |
| nhà chế tạo | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Kiểu lắp | Through Hole | |
| Gói thiết bị của nhà cung cấp | TO-220-3 | |
| Số sản phẩm cơ bản | FDP36 | |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Loạt | PowerTrench® | |
| Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta), 80A (Tc) | |
| Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu) | 6V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 80A, 10V | |
| Vgs (th) (Tối đa) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs | 110 nC @ 10 V | |
| Tính năng FET | - | |
| Gói / Trường hợp | TO-220-3 | |
| Vgs (Tối đa) | ±20V | |
| Loại FET | N-Channel | |
| Xả đến điện áp nguồn (Vdss) | 100 V | |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 25 V | |
| Tiêu tán công suất (Tối đa) | 310W (Tc) |
In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi
Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.
Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!
STP100N8F6STMicroelectronics
FDB3632onsemi
