Altium chim ưng OrCad PADS KiCad 
BS170-D27Z
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
NOVA Phần #:
312-2279380-BS170-D27Z
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
BS170-D27Z
Gói tiêu chuẩn:
2,000
Bảng dữ liệu kỹ thuật:
Định dạng tải xuống có sẵn
Vui lòng điền đầy đủ thông tin vào form, chúng tôi sẽ liên hệ và đưa ra mẫu cad trong thời gian sớm nhất.
N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3
| Loại | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn | |
| nhà chế tạo | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Bao bì | Tape & Reel (TR) | |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Kiểu lắp | Through Hole | |
| Gói thiết bị của nhà cung cấp | TO-92-3 | |
| Số sản phẩm cơ bản | BS170 | |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Loạt | - | |
| Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) | |
| Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V | |
| Vgs (th) (Tối đa) @ Id | 3V @ 1mA | |
| Tính năng FET | - | |
| Gói / Trường hợp | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
| Vgs (Tối đa) | ±20V | |
| Loại FET | N-Channel | |
| Xả đến điện áp nguồn (Vdss) | 60 V | |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V | |
| Tiêu tán công suất (Tối đa) | 830mW (Ta) | |
| Vài cái tên khác | BS170_D27Z BS170_D27ZDKRINACTIVE BS170_D27ZDKR-ND BS170-D27ZTR BS170_D27ZCT BS170_D27ZDKR BS170-D27ZDKRINACTIVE BS170_D27Z-ND BS170_D27ZTR BS170_D27ZDKRINACTIVE-ND BS170-D27ZCT BS170_D27ZTR-ND BS170_D27ZCT-ND |
In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi
Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.
Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!
BS170NTE Electronics, Inc
MCP1700-3302E/TOMicrochip Technology
FQU11P06TUonsemi- VN2106N3-GMicrochip Technology
- 2N7000-GMicrochip Technology
- 2N7000BUonsemi
