SUM60061EL-GE3

P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
NOVA Phần #:
312-2299059-SUM60061EL-GE3
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
SUM60061EL-GE3
Gói tiêu chuẩn:
800
Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

P-Channel 80 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạoVishay Siliconix
RoHS 1
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắpSurface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp TO-263 (D²Pak)
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
LoạtTrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 150A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 218 nC @ 10 V
Tính năng FET-
Gói / Trường hợpTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Tối đa)±20V
Loại FETP-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)80 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 9600 pF @ 40 V
Tiêu tán công suất (Tối đa) 375W (Tc)
Vài cái tên khác742-SUM60061EL-GE3

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!