Altium chim ưng OrCad PADS KiCad 
FQU8P10TU
MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
NOVA Phần #:
312-2279377-FQU8P10TU
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
FQU8P10TU
Gói tiêu chuẩn:
5,040
Bảng dữ liệu kỹ thuật:
Định dạng tải xuống có sẵn
Vui lòng điền đầy đủ thông tin vào form, chúng tôi sẽ liên hệ và đưa ra mẫu cad trong thời gian sớm nhất.
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Through Hole I-PAK
| Loại | Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn | |
| nhà chế tạo | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Kiểu lắp | Through Hole | |
| Gói thiết bị của nhà cung cấp | I-PAK | |
| Số sản phẩm cơ bản | FQU8P10 | |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Loạt | QFET® | |
| Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C | 6.6A (Tc) | |
| Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 3.3A, 10V | |
| Vgs (th) (Tối đa) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Tính năng FET | - | |
| Gói / Trường hợp | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
| Vgs (Tối đa) | ±30V | |
| Loại FET | P-Channel | |
| Xả đến điện áp nguồn (Vdss) | 100 V | |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 470 pF @ 25 V | |
| Tiêu tán công suất (Tối đa) | 2.5W (Ta), 44W (Tc) | |
| Vài cái tên khác | FQU8P10TU-ND FQU8P10TUOS ONSONSFQU8P10TU 2156-FQU8P10TU-OS |
In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi
Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.
Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!
IRF9510PBFVishay Siliconix
TSM680P06CH X0GTaiwan Semiconductor Corporation
FQU11P06TUonsemi
FQP3P20onsemi
