SI2301CDS-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

NOVA Phần #:

312-2281985-SI2301CDS-T1-E3

nhà chế tạo:

Nhà sản xuất Phần Không:

SI2301CDS-T1-E3

Gói tiêu chuẩn:

3,000

Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Loại	Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạo	Vishay Siliconix
RoHS	1
Bao bì	Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	SOT-23-3 (TO-236)
Số sản phẩm cơ bản	SI2301
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Loạt	TrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	3.1A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Tính năng FET	-
Gói / Trường hợp	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Tối đa)	±8V
Loại FET	P-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	20 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	405 pF @ 10 V
Tiêu tán công suất (Tối đa)	860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Vài cái tên khác	SI2301CDS-T1-E3DKR SI2301CDS-T1-E3TR SI2301CDST1E3 SI2301CDS-T1-E3CT SI2301CDS-T1-E3-ND