SI2337DS-T1-E3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

NOVA Phần #:

312-2282659-SI2337DS-T1-E3

nhà chế tạo:

Nhà sản xuất Phần Không:

SI2337DS-T1-E3

Gói tiêu chuẩn:

3,000

Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

P-Channel 80 V 2.2A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

More Information
Loại	Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạo	Vishay Siliconix
RoHS	1
Bao bì	Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động	-50°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	SOT-23-3 (TO-236)
Số sản phẩm cơ bản	SI2337
Công nghệ	MOSFET (Metal Oxide)
Loạt	TrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	2.2A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Tính năng FET	-
Gói / Trường hợp	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs (Tối đa)	±20V
Loại FET	P-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	80 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	500 pF @ 40 V
Tiêu tán công suất (Tối đa)	760mW (Ta), 2.5W (Tc)
Vài cái tên khác	SI2337DS-T1-E3TR SI2337DS-T1-E3DKR SI2337DS-T1-E3CT SI2337DST1E3