SQJ459EP-T1_GE3

MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
NOVA Phần #:
312-2280897-SQJ459EP-T1_GE3
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
SQJ459EP-T1_GE3
Gói tiêu chuẩn:
3,000
Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

P-Channel 60 V 52A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Đơn
nhà chế tạoVishay Siliconix
RoHS 1
Bao bìTape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắpSurface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp PowerPAK® SO-8
Số sản phẩm cơ bản SQJ459
Công nghệMOSFET (Metal Oxide)
LoạtAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 52A (Tc)
Điện áp ổ đĩa (Bật tối đa, Bật tối thiểu)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 108 nC @ 10 V
Tính năng FET-
Gói / Trường hợpPowerPAK® SO-8
Vgs (Tối đa)±20V
Loại FETP-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)60 V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 4586 pF @ 30 V
Tiêu tán công suất (Tối đa) 83W (Tc)
Vài cái tên khácSQJ459EP-T1_GE3CT
SQJ459EP-T1_GE3DKR
SQJ459EP-T1_GE3TR

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!