BSD235NH6327XTSA1

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

NOVA Phần #:

303-2250757-BSD235NH6327XTSA1

nhà chế tạo:

Nhà sản xuất Phần Không:

BSD235NH6327XTSA1

Gói tiêu chuẩn:

3,000

Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6

More Information
Loại	Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng
nhà chế tạo	Infineon Technologies
RoHS	1
Bao bì	Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	PG-SOT363-6
Số sản phẩm cơ bản	BSD235
Gói / Trường hợp	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Loạt	OptiMOS™
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	950mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	1.2V @ 1.6µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	0.32nC @ 4.5V
Tính năng FET	Logic Level Gate
Loại FET	2 N-Channel (Dual)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	63pF @ 10V
Sức mạnh tối đa	500mW
Vài cái tên khác	BSD235N H6327CT-ND BSD235N H6327CT BSD235NH6327XTSA1DKR BSD235N H6327TR-ND BSD235N H6327DKR-ND SP000917652 BSD235N H6327DKR BSD235NH6327XTSA1CT BSD235NH6327XTSA1TR BSD235N H6327-ND BSD235N H6327 BSD235NH6327

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!