SI4920DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
NOVA Phần #:
303-2254917-SI4920DY-T1-E3
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
SI4920DY-T1-E3
Gói tiêu chuẩn:
2,500
Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V - 2W Surface Mount 8-SOIC

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng
nhà chế tạoVishay Siliconix
RoHS 1
Bao bìTape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắpSurface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp 8-SOIC
Số sản phẩm cơ bản SI4920
Gói / Trường hợp8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LoạtTrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 23nC @ 5V
Tính năng FETLogic Level Gate
Loại FET2 N-Channel (Dual)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds -
Sức mạnh tối đa 2W
Vài cái tên khácSI4920DY-T1-E3-ND
SI4920DY-T1-E3TR
SI4920DYT1E3
SI4920DY-T1-E3DKR
SI4920DY-T1-E3CT

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.