BSD235CH6327XTSA1

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

NOVA Phần #:

303-2250847-BSD235CH6327XTSA1

nhà chế tạo:

Nhà sản xuất Phần Không:

BSD235CH6327XTSA1

Gói tiêu chuẩn:

3,000

Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6-1

More Information
Loại	Bóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng
nhà chế tạo	Infineon Technologies
RoHS	1
Bao bì	Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động	-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp	Surface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp	PG-SOT363-6-1
Số sản phẩm cơ bản	BSD235
Gói / Trường hợp	6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Loạt	OptiMOS™
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C	950mA, 530mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	350mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id	1.2V @ 1.6µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs	0.34nC @ 4.5V
Tính năng FET	Logic Level Gate
Loại FET	N and P-Channel
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)	20V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds	47pF @ 10V
Sức mạnh tối đa	500mW
Vài cái tên khác	BSD235C H6327TR-ND BSD235C H6327CT BSD235C H6327 SP000917610 BSD235C H6327DKR-ND BSD235C H6327CT-ND BSD235CH6327XT BSD235CH6327XTSA1CT BSD235CH6327 BSD235C H6327DKR BSD235CH6327XTSA1DKR BSD235CH6327XTSA1TR BSD235C H6327-ND

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.

Chúng tôi đã tìm thấy các sản phẩm khác mà bạn có thể thích!