SI4286DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
NOVA Phần #:
303-2254898-SI4286DY-T1-GE3
nhà chế tạo:
Nhà sản xuất Phần Không:
SI4286DY-T1-GE3
Gói tiêu chuẩn:
2,500
Bảng dữ liệu kỹ thuật:

Định dạng tải xuống có sẵn

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SOIC

More Information
LoạiBóng bán dẫn - FET, MOSFET - Mảng
nhà chế tạoVishay Siliconix
RoHS 1
Bao bìTape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắpSurface Mount
Gói thiết bị của nhà cung cấp 8-SOIC
Số sản phẩm cơ bản SI4286
Gói / Trường hợp8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
LoạtTrenchFET®
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 32.5mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Tối đa) @ Id 2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs 10.5nC @ 10V
Tính năng FETStandard
Loại FET2 N-Channel (Dual)
Xả đến điện áp nguồn (Vdss)40V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 375pF @ 20V
Sức mạnh tối đa 2.9W
Vài cái tên khácSI4286DYT1GE3
SI4286DY-T1-GE3CT
SI4286DY-T1-GE3DKR
SI4286DY-T1-GE3TR

In stock Xin vui lòng liên hệ với chúng tôi

Whatsapp

Không phải giá bạn muốn? Điền vào các biểu mẫu và chúng tôi sẽ liên hệ với bạn CÀNG SỚM CÀNG TỐT.